Detachment Limited Kinetics of Gold Diffusion through Ultrathin Oxide Layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F14%3APU109928" target="_blank" >RIV/00216305:26620/14:PU109928 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Detachment Limited Kinetics of Gold Diffusion through Ultrathin Oxide Layers

Popis výsledku v původním jazyce

Gold clusters and nanoparticles on ultrathin oxide layers are used as catalysts and represent essential parts of plasmonic and electronic devices. The stability of these nanostructures at surfaces against the diffusion of their constituents into the bulkis therefore of vital importance regarding their long-term applicability. Here, on the basis of in situ X-ray photoelectron spectroscopy measurements of gold diffusion through ultrathin oxide layers (SiO2 and Al2O3) to a Si substrate, we show that the diffusion from gold clusters/islands into the bulk is a detachment-limited process. Hence, the ultrathin oxide acts principally as a layer preventing a direct contact of metal atoms with the silicon substrate rather than a diffusion barrier. These findings contribute to a quantitative understanding of general design rules of metal/oxide structures.

Název v anglickém jazyce

Detachment Limited Kinetics of Gold Diffusion through Ultrathin Oxide Layers

Popis výsledku anglicky

Gold clusters and nanoparticles on ultrathin oxide layers are used as catalysts and represent essential parts of plasmonic and electronic devices. The stability of these nanostructures at surfaces against the diffusion of their constituents into the bulkis therefore of vital importance regarding their long-term applicability. Here, on the basis of in situ X-ray photoelectron spectroscopy measurements of gold diffusion through ultrathin oxide layers (SiO2 and Al2O3) to a Si substrate, we show that the diffusion from gold clusters/islands into the bulk is a detachment-limited process. Hence, the ultrathin oxide acts principally as a layer preventing a direct contact of metal atoms with the silicon substrate rather than a diffusion barrier. These findings contribute to a quantitative understanding of general design rules of metal/oxide structures.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physical Chemistry C (print)

ISSN

1932-7447

e-ISSN

—

Svazek periodika

118

Číslo periodika v rámci svazku

31

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

17549-17555

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—