Electron beam directed etching of hexagonal boron nitride

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F16%3APU120486" target="_blank" >RIV/00216305:26620/16:PU120486 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/NR/C6NR04959A" target="_blank" >https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/NR/C6NR04959A</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1039/c6nr04959a" target="_blank" >10.1039/c6nr04959a</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron beam directed etching of hexagonal boron nitride

Popis výsledku v původním jazyce

Hexagonal boron nitride (hBN) is a wide bandgap van der Waals material with unique optical properties that make it attractive for two dimensional (2D) photonic and optoelectronic devices. However, broad deployment and exploitation of hBN is limited by alack of suitable material and device processing and nano prototyping techniques. Here we present a high resolution, single step electron beam technique for chemical dry etching of hBN. Etching is achieved using H2O as a precursor gas, at both room temperature and elevated hBN temperatures. The technique enables damage-free, nano scale, iterative patterning of supported and suspended 2D hBN, thus opening the door to facile fabrication of hBN-based 2D heterostructures and devices.

Název v anglickém jazyce

Electron beam directed etching of hexagonal boron nitride

Popis výsledku anglicky

Hexagonal boron nitride (hBN) is a wide bandgap van der Waals material with unique optical properties that make it attractive for two dimensional (2D) photonic and optoelectronic devices. However, broad deployment and exploitation of hBN is limited by alack of suitable material and device processing and nano prototyping techniques. Here we present a high resolution, single step electron beam technique for chemical dry etching of hBN. Etching is achieved using H2O as a precursor gas, at both room temperature and elevated hBN temperatures. The technique enables damage-free, nano scale, iterative patterning of supported and suspended 2D hBN, thus opening the door to facile fabrication of hBN-based 2D heterostructures and devices.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanoscale

ISSN

2040-3364

e-ISSN

2040-3372

Svazek periodika

8

Číslo periodika v rámci svazku

36

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

16182-16186

Kód UT WoS článku

000384531600007

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84988354008