Electronic transport properties of graphene doped by gallium

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F17%3APU124674" target="_blank" >RIV/00216305:26620/17:PU124674 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa86a4" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa86a4</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa86a4" target="_blank" >10.1088/1361-6528/aa86a4</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic transport properties of graphene doped by gallium

Popis výsledku v původním jazyce

In this work we present the effect of low dose gallium (Ga) deposition (<4ML) performed in UHV (10-7 Pa) on the electronic doping and charge carrier scattering in graphene grown by chemical vapor deposition. In situ graphene transport measurements performed with a graphene field-effect transistor structure show that at low Ga coverages a graphene layer tends to be strongly n-doped with an efficiency of 0.64 electrons per one Ga atom, while the further deposition and Ga cluster formation results in removing electrons from graphene (less n-doping). The experimental results are supported by the density functional theory calculations and explained as a consequence of distinct interaction between graphene and Ga atoms in case of individual atoms, layers, or clusters.

Název v anglickém jazyce

Electronic transport properties of graphene doped by gallium

Popis výsledku anglicky

In this work we present the effect of low dose gallium (Ga) deposition (<4ML) performed in UHV (10-7 Pa) on the electronic doping and charge carrier scattering in graphene grown by chemical vapor deposition. In situ graphene transport measurements performed with a graphene field-effect transistor structure show that at low Ga coverages a graphene layer tends to be strongly n-doped with an efficiency of 0.64 electrons per one Ga atom, while the further deposition and Ga cluster formation results in removing electrons from graphene (less n-doping). The experimental results are supported by the density functional theory calculations and explained as a consequence of distinct interaction between graphene and Ga atoms in case of individual atoms, layers, or clusters.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

NANOTECHNOLOGY

ISSN

0957-4484

e-ISSN

1361-6528

Svazek periodika

28

Číslo periodika v rámci svazku

41

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

1-10

Kód UT WoS článku

000410793200002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85029717974