Infinite selectivity of wet SiO2 etching in respect to Al

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F20%3APU135894" target="_blank" >RIV/00216305:26620/20:PU135894 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://www.mdpi.com/2072-666X/11/4/365" target="_blank" >https://www.mdpi.com/2072-666X/11/4/365</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.3390/mi11040365" target="_blank" >10.3390/mi11040365</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Infinite selectivity of wet SiO2 etching in respect to Al

Popis výsledku v původním jazyce

We propose and demonstrate an unconventional method suitable for releasing microelectromechanical systems devices containing an Al layer by wet etching using SiO2 as a sacrificial layer. We used 48% HF solution in combination with 20% oleum to keep the HF solution water-free and thus to prevent attack of the Al layer, achieving an outstanding etch rate of thermally grown SiO2 of ≈1 µm·min−1. We also verified that this etching solution only minimally affected the Al layer, as the chip immersion for ≈9 min increased the Al layer sheet resistance by only ≈7.6%. The proposed etching method was performed in an ordinary fume hood in a polytetrafluorethylene beaker at elevated temperature of ≈70 °C using water bath on a hotplate. It allowed removal of the SiO2 sacrificial layer in the presence of Al without the necessity of handling highly toxic HF gas.

Název v anglickém jazyce

Infinite selectivity of wet SiO2 etching in respect to Al

Popis výsledku anglicky

We propose and demonstrate an unconventional method suitable for releasing microelectromechanical systems devices containing an Al layer by wet etching using SiO2 as a sacrificial layer. We used 48% HF solution in combination with 20% oleum to keep the HF solution water-free and thus to prevent attack of the Al layer, achieving an outstanding etch rate of thermally grown SiO2 of ≈1 µm·min−1. We also verified that this etching solution only minimally affected the Al layer, as the chip immersion for ≈9 min increased the Al layer sheet resistance by only ≈7.6%. The proposed etching method was performed in an ordinary fume hood in a polytetrafluorethylene beaker at elevated temperature of ≈70 °C using water bath on a hotplate. It allowed removal of the SiO2 sacrificial layer in the presence of Al without the necessity of handling highly toxic HF gas.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20506 - Coating and films

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Micromachines

ISSN

2072-666X

e-ISSN

—

Svazek periodika

11

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

365-371

Kód UT WoS článku

000531830000027

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85084662509