Plasmon-excited near-field luminescence of semiconductor light sources

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F22%3APU150701" target="_blank" >RIV/00216305:26620/22:PU150701 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Plasmon-excited near-field luminescence of semiconductor light sources

Popis výsledku v původním jazyce

On-chip integration of light sources would benefit from near-field handling of the emission with a subwavelength spatial resolution. Here we present a fully near-field photoluminescence study of semiconductor quantum dots, with a surface plasmon interference device (SPID) used for the excitation and an aperture-type scanning near-field optical microscope (SNOM) combined with a spectrometer for the collection.

Název v anglickém jazyce

Plasmon-excited near-field luminescence of semiconductor light sources

Popis výsledku anglicky

On-chip integration of light sources would benefit from near-field handling of the emission with a subwavelength spatial resolution. Here we present a fully near-field photoluminescence study of semiconductor quantum dots, with a surface plasmon interference device (SPID) used for the excitation and an aperture-type scanning near-field optical microscope (SNOM) combined with a spectrometer for the collection.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů