Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tailoring Tungsten Oxide Layers for Cold Field Emission Cathodes: Anodization and Thermal Oxidation Approaches

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F25%3APU156357" target="_blank" >RIV/00216305:26620/25:PU156357 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsaelm.5c00241" target="_blank" >https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsaelm.5c00241</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.5c00241" target="_blank" >10.1021/acsaelm.5c00241</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Tailoring Tungsten Oxide Layers for Cold Field Emission Cathodes: Anodization and Thermal Oxidation Approaches

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This study explores the optimization of tungsten oxide layers formed via thermal oxidation and anodization for cold field emission applications. Surface modifications can enhance tungsten emitters by improving the emission stability and reducing ion-induced damage. Polycrystalline tungsten samples were treated using two oxidation methods: thermal oxidation (at 550-750 degrees C, 103-104 Pa) and anodization (in 0.33 mol/L H3PO4 at 5-35 V). Lower temperatures and pressures (550 degrees C, 103 Pa) produced smoother (R a similar to 23 nm) and uniform oxide layers (similar to 240 nm thick), improving the high-voltage stability (7.5-8.5 kV). Anodized layers, while less stable at high voltages, exhibited enhanced emission at lower operational voltages (similar to 5.5-7 kV). Field emission microscopy confirmed that thermally oxidized layers perform better under high electrostatic fields, whereas anodized layers offer a rapid response and lower threshold voltages. These findings demonstrate that both oxidation techniques are scalable and tunable for optimizing cold field emitters, with tailored properties suited to specific applications in electron microscopy and related technologies.

  • Název v anglickém jazyce

    Tailoring Tungsten Oxide Layers for Cold Field Emission Cathodes: Anodization and Thermal Oxidation Approaches

  • Popis výsledku anglicky

    This study explores the optimization of tungsten oxide layers formed via thermal oxidation and anodization for cold field emission applications. Surface modifications can enhance tungsten emitters by improving the emission stability and reducing ion-induced damage. Polycrystalline tungsten samples were treated using two oxidation methods: thermal oxidation (at 550-750 degrees C, 103-104 Pa) and anodization (in 0.33 mol/L H3PO4 at 5-35 V). Lower temperatures and pressures (550 degrees C, 103 Pa) produced smoother (R a similar to 23 nm) and uniform oxide layers (similar to 240 nm thick), improving the high-voltage stability (7.5-8.5 kV). Anodized layers, while less stable at high voltages, exhibited enhanced emission at lower operational voltages (similar to 5.5-7 kV). Field emission microscopy confirmed that thermally oxidized layers perform better under high electrostatic fields, whereas anodized layers offer a rapid response and lower threshold voltages. These findings demonstrate that both oxidation techniques are scalable and tunable for optimizing cold field emitters, with tailored properties suited to specific applications in electron microscopy and related technologies.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20200 - Electrical engineering, Electronic engineering, Information engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LM2018110" target="_blank" >LM2018110: Výzkumná infrastruktura CzechNanoLab</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2025

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Applied Electronic Materials

  • ISSN

    2637-6113

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

    „“-„“

  • Kód UT WoS článku

    001470607400001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-105002737645