Substrát GaGG:Ce pro epitaxii dia. 2“

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F23%3AN0000011" target="_blank" >RIV/25296558:_____/23:N0000011 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Substrát GaGG:Ce pro epitaxii dia. 2“
Popis výsledku v původním jazyce
Epitaxně opracovaný orientovaný substrát dia.2" x 0.5mm. Byl vyroben funkční vzorek krystalu GAGG:Ce dia 2“ s orientací leštěné plochy (100). Výsledná průměrná povrchová plošná drsnost sq po epitaxním leštění byla naměřena 0,28 nm. Pro měření byla použita metoda WLI (White Light Interferometry).Tato plošná drsnost splňuje hodnotící parametr pro Gfunk a zároveň vypovídá, že vzorek je použitelný jako substrát pro epitaxní růsty.
Název v anglickém jazyce
GaGG:Ce substrate for dia epitaxy. 2
Popis výsledku anglicky
Epitaxially processed oriented substrate dia.2" x 0.5mm. A functional sample of a GAGG:Ce dia 2" crystal with a polished face orientation (100) was fabricated. The resulting average surface area roughness sq after epitaxial polishing was measured to be 0.28 nm. The WLI (White Light Interferometry) method was used for the measurement. This surface roughness meets the evaluation parameter for Gfunk and at the same time indicates that the sample can be used as a substrate for epitaxial growth.

Projekt
<a href="/cs/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Průlomové optoelektronické materiály pro přístrojovou techniku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
FW03010298 - V23
Číselná identifikace
FW03010298 - V23
Technické parametry
• Byl vyroben funkční vzorek krystalu GAGG:Ce dia 2“ s orientací leštěné plochy (100). • Výsledná průměrná povrchová plošná drsnost sq po epitaxním leštění byla naměřena 0,28 nm. • Pro měření byla použita metoda WLI (White Light Interferometry). • Tato plošná drsnost splňuje hodnotící parametr pro Gfunk a zároveň vypovídá, že vzorek je použitelný jako substrát pro epitaxní růsty.
Ekonomické parametry
Bude sloužit k vývoji a výrobě následných MOCVD struktur. Epitaxně opracované substráty budou rovněž nabízeny zákazníkům CRYTUR.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
25296558
Název vlastníka
CRYTUR, spol. s r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)