Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Transmutation doping of silicon at the LVR-15 research reactor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26722445%3A_____%2F13%3A%230000793" target="_blank" >RIV/26722445:_____/13:#0000793 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    slovinština

  • Název v původním jazyce

    Transmutačné dopovanie kremíku na pracovisku reaktora LVR-15

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Výskumný reaktor LVR-15 v Reži s tepelným výkonom 10 MW je reaktorom prioritne orientovaným na materiálový výskum a produkciu rádionuklidov pre medicínske a priemyselné účely. Medzi najdôležitejšie aktivity na pracovisku reaktora patrí transmutačné dopovanie monokryštalických kremíkových ingotov. V rámci tohto procesu sú zlepšované vodivostné vlastnosti kremíkových ingotov, ktoré nachádzajú uplatnenie pri výrobe malých polovodičových súčiastok v elektronike (diódy, mikroprocesory, ....) ale rovnako aj pri produkcii veľkých fotovoltických panelov. Výhodou transmutačného dopovania oproti iným metódam je relatívne vysoká miera homogenity distribúcie transmutovanej prímesi v celom objeme ingotu. V článku sú predstavené základy procesu transmutačného dopovania, požiadavky na dopovací proces a spôsob jeho realizácie na pracovisku reaktora LVR-15 v Reži.

  • Název v anglickém jazyce

    Transmutation doping of silicon at the LVR-15 research reactor

  • Popis výsledku anglicky

    Research reactor LVR-15 with a thermal output of 10 MW is focused on material research and production of radionuclides for medical and industrial purposes. Its most important activites include transmutation doping of monocrystalline silicon ingots. In this process, the conductivity properties of silicon ingots is beeing improved. They are used in the manufacture of small semiconductor devices in electronics (diodes, microprocessors, ....) but also in the production of large photovoltaic panels. Transmutation doping advantage over other methods is relatively high degree of homogeneity of distribution transmuted impurities in the whole volume of the ingot. The article presents the basics of the process of transmutation doping, doping requirements for theprocess and way of its implementation in the LVR-15 reactor workplace.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JF - Jaderná energetika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník přednášek studentské vědecké konference JuveMatter 2013

  • ISBN

    978-80-01-05359-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    48-54

  • Název nakladatele

    České vysoké učení technické-nakladatelství ČVUT

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Horní Lomná

  • Datum konání akce

    1. 1. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku