New concept of vertical power NPN bipolar transistor

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F10%3A%230000050" target="_blank" >RIV/26821532:_____/10:#0000050 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://technology.feld.cvut.cz:8080/xwiki/bin/view/ISPS2010/" target="_blank" >http://technology.feld.cvut.cz:8080/xwiki/bin/view/ISPS2010/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
New concept of vertical power NPN bipolar transistor
Popis výsledku v původním jazyce
A new concept of power transistor layout so called "strainer emitter" has been proposed and experimentally verified. The strainer emitter has brought the increase of current gain and extension of Beta plateau towards higher currents. The physical mechanisms of this proposal have been quantitatively clarified in many aspects. For exact quantitative model it will be necessary to use simpler geometry structures based on single emitter transistors.
Název v anglickém jazyce
New concept of vertical power NPN bipolar transistor
Popis výsledku anglicky
A new concept of power transistor layout so called "strainer emitter" has been proposed and experimentally verified. The strainer emitter has brought the increase of current gain and extension of Beta plateau towards higher currents. The physical mechanisms of this proposal have been quantitatively clarified in many aspects. For exact quantitative model it will be necessary to use simpler geometry structures based on single emitter transistors.

Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI1%2F582" target="_blank" >FR-TI1/582: *Výzkum a vývoj pokročilé komplementární bipolární technologie pro výrobu integrovaných obvodů.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 10th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'10
ISBN
978-80-01-04602-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
281
Strana od-do
107-112
Název nakladatele
České centrum IET, České vysoké učení technické v Praze
Místo vydání
Praha, Česká republika
Místo konání akce
Praha, Česká republika
Datum konání akce
1. 1. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)