Strained structure of power vertical PNP transistor

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F10%3A%230000051" target="_blank" >RIV/26821532:_____/10:#0000051 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.silicon.cz/" target="_blank" >http://www.silicon.cz/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Strained structure of power vertical PNP transistor
Popis výsledku v původním jazyce
The integration of PNP vertical power transistors into new technology process ON50 with trenches is described. The comparison of standard grid layout and new strainer layout with highly doped Poly-Si Emitters in highly doped base is done. The characteristics parameters have been analyzed. Some conclusions for improvement have been suggested.
Název v anglickém jazyce
Strained structure of power vertical PNP transistor
Popis výsledku anglicky
The integration of PNP vertical power transistors into new technology process ON50 with trenches is described. The comparison of standard grid layout and new strainer layout with highly doped Poly-Si Emitters in highly doped base is done. The characteristics parameters have been analyzed. Some conclusions for improvement have been suggested.

Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI1%2F582" target="_blank" >FR-TI1/582: *Výzkum a vývoj pokročilé komplementární bipolární technologie pro výrobu integrovaných obvodů.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)