Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000007" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000007 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/26821532:_____/21:N0000017
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Popis výsledku v původním jazyce
8“ polished silicon wafers for heteroepitaxial application, heavily a slightly doped substrates.
Název v anglickém jazyce
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Popis výsledku anglicky
8“ polished silicon wafers for heteroepitaxial application, heavily a slightly doped substrates.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
W8586B00
Číselná identifikace
TH02010014-V5
Technické parametry
Funkční vzorky silně (a slabě) legovaných Si substrátů průměru 200 mm pro GaN MOCVD. DAR18413919 (DAR18413917) - specifikace desky v souladu s 52MON04604D, General Specification for Polished and Epitaxial Silicon Wafers, řízený dokument id 52AON81953G (52AON81952G), specifikace id W8586B00 (W8583B00), verze O schválena v korporátním systemu AGILE 1/2018. Leštěný křemíkový substrát, 200.0 ± 0.1 mm; Wafer Thickness 1150 ± 15 um; Surface Orientation On <111> 0°± 0.5°; CZ Si:B; <111>; Resistivity/Radial Variation max. 0.003 Ohm.cm (5.0 – 50.0 Ohm.cm)/ max. 10% per SEMI MF81, Plan B @ 6mm; Oxygen Concentration/Oxygen Radial Variation 26.0 – 35.0 ppma per SEMI MF1188, Plan C @ 6mm; Thickness Variation (TTV) max. 6.0 um; Bow max. 10.0 μm; Warp max. 40.0 um; Flatness max. 3.0 μm GTIR; Site Flatness max. 1.5 μm SFQD (SFPD).
Ekonomické parametry
Výsledek využit pro vlastní výrobní operace. Výrobní cena leštěné křemíkové desky < 60 USD.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Popis výsledku