Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000011" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000011 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm
Popis výsledku v původním jazyce
Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov), zařízení VEECO.
Název v anglickém jazyce
Technology for heteroepitaxial growth for semiconductor appliacations with substrates of 200 mm diameter
Popis výsledku anglicky
Qualified technology of heteroepitaxial growth of Ga (Al) N for semiconductor applications on substrates with a diameter of 200 mm, production line CZ2 (Rožnov), VEECO reactor.
Klasifikace
Druh
Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie
CEP obor
—
OECD FORD obor
20501 - Materials engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
TH02010014-V25
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov) - MOCVD reaktor Veeco Propel C2 pro růst nitridových heterostruktur pro 650V e-mode HEMT technologii na substrátu průměru 200 mm.
Ekonomické parametry
Kapacita 3 desky v běhu, 6 desek/den, výrobní náklady <2 tis. USD/deska.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—