Metody měření nitridových struktur v polovodičovém průmyslu

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000012" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000012 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Metody měření nitridových struktur v polovodičovém průmyslu
Popis výsledku v původním jazyce
Kvalifikované metody pro charakterizaci nitridových struktur v polovodičovém průmyslu. tj. analýza strukturních vlastnosti a defektů ve vrstvě a na povrchu pro desky průměru 200 mm, ideálně nedestruktivní, v nutném případě (např. SEM) se stanovenou četností vzorkování.
Název v anglickém jazyce
Methods for measurement of nitride structures in semiconductor industry
Popis výsledku anglicky
Qualified methods for characterization of nitride structures in the semiconductor industry, ie analysis of structural properties and defects in the layer and on the surface for 200 mm wafer, ideally non-destructive, if necessary (eg SEM) with a specified sampling frequency.

Projekt
<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH02010014-V19
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Metoda měření složení AlGaN vrstvy, která je jednou z klíčových částí aktivní heterostruktury GaN/AlGaN/pGaN v enhancement mode HEMT struktuře. Vhodnou metodou je mapování složení AlGaN pomocí fotoluminiscence - zařízení Nanometrics RPM Blue: Úspěšně dokončená akceptace zařízení a ověření opakovatelnosti a reprodukovatelnosti měření. Kalibrace výpočtu obsahu Al v AlGaN z měřené polohy AlGaN signálu pomocí dat z rentgenové difrakce. Zavedení monitoringu stability MOCVD růstu AlGaN bariéry dedikovanou strukturou. Optimalizace receptu pro měření tenké AlGaN vrstvy s nízkou intenzitou signálu. Kvalifikace zařízení pro mapování složení AlGaN (CAB 19_126) - ověření technologie.
Ekonomické parametry
Cena technologie <400 tis.$
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)