Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní oxidace

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000006" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000006 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní oxidace
Popis výsledku v původním jazyce
Surface purity of Si wafers before the process of high temperature oxidation plays the key role for the final electronic quality of produced structures. In the frame of the project accurate procedure for the dose cleaning process of Si substrates (and following DEMI water rinsing) with chemicals such as HF, HCl, H2O2 and H2O (and their combination) and following drying procedure of Si wafers.
Název v anglickém jazyce
Procedure for Si wafer pre-cleaning before high temperature oxidation processes to reduce the substrate contamination
Popis výsledku anglicky
Čistota povrchu Si desek před vysokoteplotní oxidací (suchou i vlhkou) hraje klíčovou roli pro finální elektronickou kvalitu vytvářených struktur. V rámci řešení projektu byl odladěn přesný postup dávkového sekvenčního mytí Si substrátů a následných oplachů v DEMI vodě s použitím chemikálií HF, HCl, H2O2 a H2O (respektive jejich kombinací) a následné procedury sušení Si desek.

Projekt
<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
SVMVTO_SOL_01
Číslo předpisu
A-2012-12-13-SVMVTO_SOL_01
Technické parametry
Aplikací modifikované metodiky "RCA cleaning" bylo dosaženo zvýšení čistoty povrchu Si desek ověřenou měřením doby života minoritních nosičů proudu metodou MWPCD a rovněž zvýšením konverzní účinnosti testovaných solárních článků.
Ekonomické parametry
Aplikací modifikované metodiky "RCA cleaning" bylo dosaženo zajištění vyšší čistoty povrchu Si desek a úspory spotřeby jednotlivých chemikálií, což vede ke snížení nákladů na výrobu plovodičových struktur, resp. solárních článků a celkové vyšší robustnosti procesu.
Označení certifikačního orgánu
SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
Datum certifikace
—
Způsoby využití výsledku
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů

Podobné výsledky(10)