Colossal tuning of an energy gap in Sn2P2S6 under pressure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F46747885%3A24510%2F11%3A%230000690" target="_blank" >RIV/46747885:24510/11:#0000690 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i21/p212104_s1?isAuthorized=no" target="_blank" >http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i21/p212104_s1?isAuthorized=no</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3662926" target="_blank" >10.1063/1.3662926</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Colossal tuning of an energy gap in Sn2P2S6 under pressure
Popis výsledku v původním jazyce
We report results of investigation of electrical and thermoelectric properties of Sn2P2S6 under strong compression up to 20 GPa. An "insulator-metal"(I-M)-type transition was discovered by a monotonic and reversible lowering of electrical resistivity by9-10 orders. The energy gap (Eg=2.3 eV) was estimated to decrease to 0.25-0.3 eV at 20 GPa. X-ray diffraction and Raman studies on samples recovered from the high pressure experiments confirm a conservation of the original monoclinic lattice. Thus, a colossal "band-gap engineering" potential is revealed in this optical material. Sn2P2S6 is a potential candidate for emergent multi-functional switches, between transparent "insulator" state and conducting state with magneto-dependent properties.
Název v anglickém jazyce
Colossal tuning of an energy gap in Sn2P2S6 under pressure
Popis výsledku anglicky
We report results of investigation of electrical and thermoelectric properties of Sn2P2S6 under strong compression up to 20 GPa. An "insulator-metal"(I-M)-type transition was discovered by a monotonic and reversible lowering of electrical resistivity by9-10 orders. The energy gap (Eg=2.3 eV) was estimated to decrease to 0.25-0.3 eV at 20 GPa. X-ray diffraction and Raman studies on samples recovered from the high pressure experiments confirm a conservation of the original monoclinic lattice. Thus, a colossal "band-gap engineering" potential is revealed in this optical material. Sn2P2S6 is a potential candidate for emergent multi-functional switches, between transparent "insulator" state and conducting state with magneto-dependent properties.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
99
Číslo periodika v rámci svazku
21
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
212104
Kód UT WoS článku
000297471000025
EID výsledku v databázi Scopus
—