Experimental limits of light capture in thin film silicon devices
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F08%3A%230000008" target="_blank" >RIV/49610040:_____/08:#0000008 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Experimental limits of light capture in thin film silicon devices
Popis výsledku v původním jazyce
New approach for the determination of the angular distribution of the scattered light at nano-rough surfaces/interfaces from AFM (Atomic Force Microscopy) data is presented. Calculation comes from modeling the electromagnetic field in the tight vicinityof the nano-rough surface by complex solution of Maxwell?s equations and subsequent near field to far field transform. This method is demonstrated for four types of transparent conductive oxides (with rough free surfaces) deposited on glass substrates. As a result we have the amount and angular distribution of the scattered light ?observed? in both transmission and reflection. Moreover calculation can be done for real sample dimensions (to compare results with the measurement of the angular distributionfunction using LED laser) or for a semi-infinite sample which suppresses the interference effects and thus such distribution functions can be used as an input parameter for our 3-dimensional optical model CELL for thin film silicon solar
Název v anglickém jazyce
Experimental limits of light capture in thin film silicon devices
Popis výsledku anglicky
New approach for the determination of the angular distribution of the scattered light at nano-rough surfaces/interfaces from AFM (Atomic Force Microscopy) data is presented. Calculation comes from modeling the electromagnetic field in the tight vicinityof the nano-rough surface by complex solution of Maxwell?s equations and subsequent near field to far field transform. This method is demonstrated for four types of transparent conductive oxides (with rough free surfaces) deposited on glass substrates. As a result we have the amount and angular distribution of the scattered light ?observed? in both transmission and reflection. Moreover calculation can be done for real sample dimensions (to compare results with the measurement of the angular distributionfunction using LED laser) or for a semi-infinite sample which suppresses the interference effects and thus such distribution functions can be used as an input parameter for our 3-dimensional optical model CELL for thin film silicon solar
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FT-TA3%2F142" target="_blank" >FT-TA3/142: Analýza optických vlastností solárních článků.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Light Management in Photovoltaic Devices - Theory and Practice
ISBN
9781605608594
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
—
Název nakladatele
Curran Associates, Inc.
Místo vydání
—
Místo konání akce
San Francisco
Datum konání akce
24. 3. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—