Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A%2A0000100" target="_blank" >RIV/49610040:_____/13:*0000100 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Byl navržen a ověřen alternativní technologický postup vytvoření struktury solárního článku s hladkým povrchem zadní strany solárního článku a s PN přechodem pouze na přední straně, tedy bez nutnosti provádění procesu izolace podél hran. Tento postup jezaložený na principu maskování povrchu jedné strany dielektrickou vrstvou SiNx deponovanou technologií PECVD. Na podkladě provedení a vyhodnocení testů leptání "mokrou" chemickou cestou byl pro uplatnění v dané technologii výroby solárních článků stanoven vhodný proces leptání zadní strany křemíkového substrátu.

  • Název v anglickém jazyce

    Proved technology of solar cell manufacturing based on monocrystalline silicon with one-side textured surface and with front side PN junction.

  • Popis výsledku anglicky

    It was designed and validated alternative technological process of formation of the structure of a solar cell with smooth surface of the solar cell rear side and with PN junction just on the front side, i.c. withnout necessity to do an isolation processalong the edges. This procedure is based on the principle of masking of the surface of one side by the dielectric layer of SiNx deposited using PECVD technology. On the basis of performance and evaluation of etching tests usig "wet" chemical method for the application of technology in the production of solar cells it was set suitable process for etching of the back side surface of the silicon substrate.

Klasifikace

  • Druh

    Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/FR-TI1%2F599" target="_blank" >FR-TI1/599: Návrh procesu jednostranného leptání křemíkové desky pro použití v technologické výrobě fotovoltaických solárních článků</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    1-01-014

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně je popsána v procesním předpisu 1-01-014 uloženého v databázi firmy Solartec. Pro danou technologii byly vyvinuty, testovány a zavedeny operace (viz příslušné operační návodky): oboustranné kyselé leptání povrchu křemíkového substrátu (2 - 11 - 016), depozice maskovacího nitridu (2 - 14 -004), čištění od grafitu (2 - 11 - 013), jednostranná texturace povrchu (2 - 11 - 003) a oleptání maskovacího nitridu (2 - 11 - 017). Výsledek slouží k vlastnímu využití a byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/599, s MPO ze dne 21.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel:601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz

  • Ekonomické parametry

    Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých struktur solárních článků s vysokou konverzní účinností.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    49610040

  • Název vlastníka

    Solartec s.r.o.

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

  • Požadavek na licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem