Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23210%2F15%3A43925795" target="_blank" >RIV/49777513:23210/15:43925795 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/49777513:23640/15:43925795
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2015.06.015" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2015.06.015</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2015.06.015" target="_blank" >10.1016/j.jssc.2015.06.015</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications
Popis výsledku v původním jazyce
Due to huge demand on discovering new materials for energy, we used first-principle calculations to explore the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide, namely Ba4Ga4SnSe12. The electronic structure and the optical properties of Ba4Ga4SnSe12 were calculated through a reliable approach of Engle Vosko-GGA (EV-GGA). We found that Ba4Ga4SnSe12 has a direct band gap of 2.14 eV positioned at Gamma. Acquiring the fundamental characteristics of Ba4Ga4SnSe12, we studied the linearoptical properties like dielectric function in the energy range of 0-14 eV. From the dielectric function we notice that there is a weak directional anisotropy for the two components. The absorption spectrum indicates that there is possibility of greatermultiple direct and indirect inter-band transitions in the visible regions and shows similar behavior with experimental spectrum. Ba4Ga4SnSe12 can be used as shielding material from UV radiations. Present study predicts that the Ba4Ga4SnS
Název v anglickém jazyce
Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications
Popis výsledku anglicky
Due to huge demand on discovering new materials for energy, we used first-principle calculations to explore the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide, namely Ba4Ga4SnSe12. The electronic structure and the optical properties of Ba4Ga4SnSe12 were calculated through a reliable approach of Engle Vosko-GGA (EV-GGA). We found that Ba4Ga4SnSe12 has a direct band gap of 2.14 eV positioned at Gamma. Acquiring the fundamental characteristics of Ba4Ga4SnSe12, we studied the linearoptical properties like dielectric function in the energy range of 0-14 eV. From the dielectric function we notice that there is a weak directional anisotropy for the two components. The absorption spectrum indicates that there is possibility of greatermultiple direct and indirect inter-band transitions in the visible regions and shows similar behavior with experimental spectrum. Ba4Ga4SnSe12 can be used as shielding material from UV radiations. Present study predicts that the Ba4Ga4SnS
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BE - Teoretická fyzika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Solid State Chemistry
ISSN
0022-4596
e-ISSN
—
Svazek periodika
229
Číslo periodika v rámci svazku
Září 2015
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
260-265
Kód UT WoS článku
000358815100033
EID výsledku v databázi Scopus
—