Moderní budící obvody pro tranzistory IGBT v měničích s můstkovým zapojením

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F03%3A00000095" target="_blank" >RIV/49777513:23220/03:00000095 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Moderní budící obvody pro tranzistory IGBT v měničích s můstkovým zapojením
Popis výsledku v původním jazyce
Tento příspěvek se zabývá moderními budícími obvody pro tranzistory IGBT v měničích s můstkovým zapojením, definováním jejich koncepce a stanovením základních požadavků na ně kladených. Dále jsou zde uvedeny konkrétní obvodové návrhy, které umožní realizaci šesti příp. sedmi kanálové budící jednotky pro tranzistory IGBT v napěťové třídě 600 až 1200V.
Název v anglickém jazyce
Modern gate drive units for IGBT in the bridge - type converters
Popis výsledku anglicky
In this paper so - called intelligent (or sophisticated) gate drive circuits for IGBT’s in the bridge - type power converters are described, their conception defined and fundamental requirements determined. These control circuitry represents the greatest single influence for operational security in the inverter. Further, concrete examples of such gate drivers for IGBT’s here are presented.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F02%2F1355" target="_blank" >GA102/02/1355: Výzkum systémů výkonové elektroniky se zmenšenou interferencí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)