Application of the modern semiconductor devices based on the SiC

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F09%3A00501994" target="_blank" >RIV/49777513:23220/09:00501994 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Application of the modern semiconductor devices based on the SiC

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents research motivated by industrial demand for using power semiconductor devices based on SiC (Silicon Carbide). The paper deals with possibility of SiC devices application in traction vehicles. The main attention has been given to the topology of 3-phase voltage-source inverter with free- wheeling SiC schottky diode and 1-phase traction converter with middle frequency converter for auxiliary drives. The theoretical conclusions and simulation results are compared with experimental measurements on laboratory model with rated power of 2kVA

Název v anglickém jazyce

Application of the modern semiconductor devices based on the SiC

Popis výsledku anglicky

This paper presents research motivated by industrial demand for using power semiconductor devices based on SiC (Silicon Carbide). The paper deals with possibility of SiC devices application in traction vehicles. The main attention has been given to the topology of 3-phase voltage-source inverter with free- wheeling SiC schottky diode and 1-phase traction converter with middle frequency converter for auxiliary drives. The theoretical conclusions and simulation results are compared with experimental measurements on laboratory model with rated power of 2kVA

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1164" target="_blank" >GA102/09/1164: Interakce výkonových polovodičových měničů s okolím</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EPE 2009

ISBN

978-1-4244-4432-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1-5

Název nakladatele

EPE Association

Místo vydání

Brussel

Místo konání akce

Barcelona

Datum konání akce

8. 9. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000275384102161