Konstrukce inteligentního budícího obvodu pro výkonové tranzistory

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F13%3A43920060" target="_blank" >RIV/49777513:23220/13:43920060 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Konstrukce inteligentního budícího obvodu pro výkonové tranzistory
Popis výsledku v původním jazyce
Práce se zabývá problematikou návrhu budičů pro výkonné měniče s IGBT nebo MOSFET tranzistory. Funkce jsou implementovány pomocí programovatelného logického pole, které je schopno přizpůsobit funkci a přesnou desaturační ochranu spínacích prvků. Navrženárodina AMD (vyspělý budič MOSFET) je k dispozici v širokém spektru provedení počínaje 1 kanálovým až po maximálně 10 kanálový (s rozšířením).
Název v anglickém jazyce
Design of intelligent driver for high power transistors
Popis výsledku anglicky
This paper deals with problems of design of drivers for high power convertors with IGBT or MOSFET transistors. Implemented functions are field programmable logic witch customizable function and precise desaturation protection of switching elements. Designed family of AMD (advanced MOSFET driver) is available in wide spectrum of implementation starting with 1 channel to maximum of 10 (with expander)

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)