Výpočet parametrů pro třífázový usměrňovač na bázi SiC

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F21%3A43962954" target="_blank" >RIV/49777513:23220/21:43962954 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Výpočet parametrů pro třífázový usměrňovač na bázi SiC
Popis výsledku v původním jazyce
Hlavním zaměřením práce je návrh třífázového usměrňovače na bázi SiC výkonových diod. Hlavní část práce spočívá v rovnicích, díky kterým jsou získány teploty čipů diod na základě proudu, napětí a spínací frekvence. Z těchto veličin jsou získány výkonové ztráty. V kombinaci s vybraným chladičem jsou získány výsledné teploty. Byly použity dvě metody získání vodivostních ztrát diod, kdy jedna zanedbává tvar průběhu propustného proudu. Finální výsledky jsou dále porovnávány se simulací.
Název v anglickém jazyce
Parameter calculations for SiC three-phase rectifier
Popis výsledku anglicky
Main focus of this work is to design a three–phase rectifier based on silicon–carbide power diodes. Main part of the article is dedicated do equations which are then used to obtain temperatures of power diode junction based on current, voltage and switching frequency. From these, power losses are calculated. Combined with selection of cooling heat sink, final temperatures are obtained. There were two methods used. One simplified equation, neglecting shape of forward current to calculate forward losses and the second where the shape of current is acknowledged and calculated with. Final values are then reviewed via simulation.

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)