Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F22%3A43966892" target="_blank" >RIV/49777513:23220/22:43966892 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9982816" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9982816</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ME54704.2022.9982816" target="_blank" >10.1109/ME54704.2022.9982816</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper, the development of a compact LLC resonant converter based on GaN devices and with output power up to 10 kW is described. The capability of 1 MHz operation contributes to small overall dimensions involving the power stage, drivers and also the control system. The characteristics of the power switches, consisting of three GaN transistors in parallel placed on an insulated metal substrate (IMS), are provided together with their double pulse test performance. High-frequency operations in resonant mode up to 10kW are demonstrated. Converter construction based on sandwich structure and overall mechanical assembly are detailed as well.

  • Název v anglickém jazyce

    High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper, the development of a compact LLC resonant converter based on GaN devices and with output power up to 10 kW is described. The capability of 1 MHz operation contributes to small overall dimensions involving the power stage, drivers and also the control system. The characteristics of the power switches, consisting of three GaN transistors in parallel placed on an insulated metal substrate (IMS), are provided together with their double pulse test performance. High-frequency operations in resonant mode up to 10kW are demonstrated. Converter construction based on sandwich structure and overall mechanical assembly are detailed as well.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TN01000026" target="_blank" >TN01000026: Národní centrum kompetence Josefa Božka pro pozemní dopravní prostředky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 2022 20th International Conference on Mechatronics - Mechatronika, ME 2022

  • ISBN

    978-1-66541-040-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    126-129

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Piscataway

  • Místo konání akce

    Pilsen, Czech Republic

  • Datum konání akce

    7. 12. 2022

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000947331700006