High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F22%3A43966892" target="_blank" >RIV/49777513:23220/22:43966892 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9982816" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9982816</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ME54704.2022.9982816" target="_blank" >10.1109/ME54704.2022.9982816</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper, the development of a compact LLC resonant converter based on GaN devices and with output power up to 10 kW is described. The capability of 1 MHz operation contributes to small overall dimensions involving the power stage, drivers and also the control system. The characteristics of the power switches, consisting of three GaN transistors in parallel placed on an insulated metal substrate (IMS), are provided together with their double pulse test performance. High-frequency operations in resonant mode up to 10kW are demonstrated. Converter construction based on sandwich structure and overall mechanical assembly are detailed as well.
Název v anglickém jazyce
High-frequency full-bridge LLC resonant inverter with GaN HEMT
Popis výsledku anglicky
In this paper, the development of a compact LLC resonant converter based on GaN devices and with output power up to 10 kW is described. The capability of 1 MHz operation contributes to small overall dimensions involving the power stage, drivers and also the control system. The characteristics of the power switches, consisting of three GaN transistors in parallel placed on an insulated metal substrate (IMS), are provided together with their double pulse test performance. High-frequency operations in resonant mode up to 10kW are demonstrated. Converter construction based on sandwich structure and overall mechanical assembly are detailed as well.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TN01000026" target="_blank" >TN01000026: Národní centrum kompetence Josefa Božka pro pozemní dopravní prostředky</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 2022 20th International Conference on Mechatronics - Mechatronika, ME 2022
ISBN
978-1-66541-040-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
126-129
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Pilsen, Czech Republic
Datum konání akce
7. 12. 2022
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000947331700006