Dielectric Analysis of Silicone Gels
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F24%3A43972985" target="_blank" >RIV/49777513:23220/24:43972985 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10693713" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10693713</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/Diagnostika61830.2024.10693713" target="_blank" >10.1109/Diagnostika61830.2024.10693713</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dielectric Analysis of Silicone Gels
Popis výsledku v původním jazyce
Given the dynamic development of power electronics and semiconductors, it's essential to innovate materials capable of withstanding high electric field intensities and partial discharges. Silicone gels are part of a group of potting compounds used as the main insulation system for power devices. Due to the continuous development of power devices and increasing levels of operating voltages, issues arise concerning partial discharges at the interface substrate-gel-conductor. This interface is well known as the triple point, where a significant increase in electric field intensity occurs. This paper presents a structural analysis of silicone gel commonly used as the main insulation in these applications to observe structural changes and dielectric properties.
Název v anglickém jazyce
Dielectric Analysis of Silicone Gels
Popis výsledku anglicky
Given the dynamic development of power electronics and semiconductors, it's essential to innovate materials capable of withstanding high electric field intensities and partial discharges. Silicone gels are part of a group of potting compounds used as the main insulation system for power devices. Due to the continuous development of power devices and increasing levels of operating voltages, issues arise concerning partial discharges at the interface substrate-gel-conductor. This interface is well known as the triple point, where a significant increase in electric field intensity occurs. This paper presents a structural analysis of silicone gel commonly used as the main insulation in these applications to observe structural changes and dielectric properties.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2024 International Conference on Diagnostics in Electrical Engineering (Diagnostika) : /conference proceedings/
ISBN
979-8-3503-6149-0
ISSN
2464-7071
e-ISSN
2464-708X
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Pilsen, Czech Republic
Datum konání akce
3. 9. 2024
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
001345150300038