Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F10%3A00503473" target="_blank" >RIV/49777513:23520/10:00503473 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper reports molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process amorphous SiNH films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various process parameters on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimensionof the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between the process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.

  • Název v anglickém jazyce

    Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride

  • Popis výsledku anglicky

    The paper reports molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process amorphous SiNH films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various process parameters on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimensionof the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between the process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Physics

  • ISSN

    0021-8979

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    107

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000277303200022

  • EID výsledku v databázi Scopus