Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F10%3A00503473" target="_blank" >RIV/49777513:23520/10:00503473 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride
Popis výsledku v původním jazyce
The paper reports molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process amorphous SiNH films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various process parameters on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimensionof the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between the process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.
Název v anglickém jazyce
Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride
Popis výsledku anglicky
The paper reports molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process amorphous SiNH films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various process parameters on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimensionof the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between the process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
107
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000277303200022
EID výsledku v databázi Scopus
—