Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F20%3A43959301" target="_blank" >RIV/49777513:23520/20:43959301 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c08300" target="_blank" >https://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c08300</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c08300" target="_blank" >10.1021/acsami.0c08300</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N

Popis výsledku v původním jazyce

The maximum achievable N content in Si‒C‒N is examined by combining ab-initio molecular dynamics simulations in a wide range of compositions and densities with experimental data. When and only when the simulation algorithm allows the formation and final presence of N2 molecules, the densities leading to the deepest local energy minima are in agreement with the experiment. The main attention is paid to unbonded N2 molecules, with the aim to predict and explain the maximum content of N bonded in the amorphous networks. There are significant differences resulting from different compositions, ranging from no N2 at the lowest-energy density of a Si3N4 (57 at.% of bonded N) to many N2 at the lowest-energy density of a-C3N4 (42 at.% of bonded N). The theoretical prediction is in agreement with experimental results of reactive magnetron sputtering at varied Si + C sputter target composition and N2 partial pressure.

Název v anglickém jazyce

Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N

Popis výsledku anglicky

The maximum achievable N content in Si‒C‒N is examined by combining ab-initio molecular dynamics simulations in a wide range of compositions and densities with experimental data. When and only when the simulation algorithm allows the formation and final presence of N2 molecules, the densities leading to the deepest local energy minima are in agreement with the experiment. The main attention is paid to unbonded N2 molecules, with the aim to predict and explain the maximum content of N bonded in the amorphous networks. There are significant differences resulting from different compositions, ranging from no N2 at the lowest-energy density of a Si3N4 (57 at.% of bonded N) to many N2 at the lowest-energy density of a-C3N4 (42 at.% of bonded N). The theoretical prediction is in agreement with experimental results of reactive magnetron sputtering at varied Si + C sputter target composition and N2 partial pressure.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20506 - Coating and films

Projekt

<a href="/cs/project/GA19-14011S" target="_blank" >GA19-14011S: Design nových funkčních materiálů, a cest pro jejich reaktivní magnetronové naprašování, pomocí pokročilých počítačových simulací</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN

1944-8244

e-ISSN

—

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

37

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

41666-41673

Kód UT WoS článku

000572965700072

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85091191944