Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F11%3A43911707" target="_blank" >RIV/49777513:23640/11:43911707 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper, we discuss the effect of deposition temperature of the substrate (Ts) on the electrical, optical and structural properties of gallium-nitrogen co-doped ZnO thin films (ZnO:Ga:N).
Název v anglickém jazyce
Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films
Popis výsledku anglicky
In this paper, we discuss the effect of deposition temperature of the substrate (Ts) on the electrical, optical and structural properties of gallium-nitrogen co-doped ZnO thin films (ZnO:Ga:N).

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 17th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter
ISBN
978-80-554-0386-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
65-68
Název nakladatele
University of Žilina
Místo vydání
Žilina
Místo konání akce
Spa Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia
Datum konání akce
22. 6. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Popis výsledku