Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO's

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43914746" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43914746 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49777513:23210/12:43914746

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.038" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.038</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.038" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2011.07.038</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO's

Popis výsledku v původním jazyce

In consequence of previous investigation of individual transparent conductive oxide (TCO) and absorber layers a study was carried out on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells with diluted intrinsic a-Si:H absorber layers deposited on glasssubstrates covered with different TCO films. In this paper we focused our attention on the influence of using different TCO's as a front contact in solar cells. Diode sputtered ZnO:Ga, textured and non-textured ZnO:Al and commercially fabricated ASAHI (SnO2:F) U-type TCO's have been used. The morphology and structure of ZnO films were altered by reactive ion etching (RIE) and post-deposition annealing. It can be concluded that the single junction a-Si:H solar cells with ZnO:Al films achieved comparableparameters as those prepared with commercially fabricated ASAHI U-type TCO's.

Název v anglickém jazyce

Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO's

Popis výsledku anglicky

In consequence of previous investigation of individual transparent conductive oxide (TCO) and absorber layers a study was carried out on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells with diluted intrinsic a-Si:H absorber layers deposited on glasssubstrates covered with different TCO films. In this paper we focused our attention on the influence of using different TCO's as a front contact in solar cells. Diode sputtered ZnO:Ga, textured and non-textured ZnO:Al and commercially fabricated ASAHI (SnO2:F) U-type TCO's have been used. The morphology and structure of ZnO films were altered by reactive ion etching (RIE) and post-deposition annealing. It can be concluded that the single junction a-Si:H solar cells with ZnO:Al films achieved comparableparameters as those prepared with commercially fabricated ASAHI U-type TCO's.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

86

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

765-768

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—