Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43915256" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43915256 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper the possibility to form ultra-thin homogenous films doped by Ga (ZnO:Ga) by continual or sequential sputtering is presented. An influence of post-deposition annealing on crystalline structure of films was studied. The ability to create a highly consistent coverage (shell) of three dimensional nanostructures (GaP nanowires) by the sequential mode of sputtering was proven.
Název v anglickém jazyce
Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering
Popis výsledku anglicky
In this paper the possibility to form ultra-thin homogenous films doped by Ga (ZnO:Ga) by continual or sequential sputtering is presented. An influence of post-deposition annealing on crystalline structure of films was studied. The ability to create a highly consistent coverage (shell) of three dimensional nanostructures (GaP nanowires) by the sequential mode of sputtering was proven.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 28th INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELETRONICS
ISBN
978-1-4673-0235-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
269-271
Název nakladatele
Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, INC.
Místo vydání
Niš
Místo konání akce
Niš
Datum konání akce
13. 5. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000309119600056