Thermoelectric properties of a single graphene sheet and its derivatives
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43921991" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43921991 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/C3TC32260B" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1039/C3TC32260B</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/C3TC32260B" target="_blank" >10.1039/C3TC32260B</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermoelectric properties of a single graphene sheet and its derivatives
Popis výsledku v původním jazyce
The thermoelectric properties of pristine graphene and H2S adsorbed onto bridge, hollow and top sites of a graphene sheet are investigated using the semi-classical Boltzmann transport theory. The average values of electrical conductivity, thermal conductivity, Seebeck coefficient, figure of merit (ZT) and the average value of the power factor (Pav) are reported and discussed in detail. While pristine graphene is a zero band gap semiconductor, adsorption of H2S onto the bridge site opens up a direct energy gap of about 0.04 eV, adsorption of a H2S molecule onto the top site opens up a gap of 0.3 eV, and adsorption of H2S onto the hollow site makes it metallic. The investigation of ZT and power factor values suggests that a top-site configuration could be a potential candidate for thermoelectric applications in the range 300-600 K.
Název v anglickém jazyce
Thermoelectric properties of a single graphene sheet and its derivatives
Popis výsledku anglicky
The thermoelectric properties of pristine graphene and H2S adsorbed onto bridge, hollow and top sites of a graphene sheet are investigated using the semi-classical Boltzmann transport theory. The average values of electrical conductivity, thermal conductivity, Seebeck coefficient, figure of merit (ZT) and the average value of the power factor (Pav) are reported and discussed in detail. While pristine graphene is a zero band gap semiconductor, adsorption of H2S onto the bridge site opens up a direct energy gap of about 0.04 eV, adsorption of a H2S molecule onto the top site opens up a gap of 0.3 eV, and adsorption of H2S onto the hollow site makes it metallic. The investigation of ZT and power factor values suggests that a top-site configuration could be a potential candidate for thermoelectric applications in the range 300-600 K.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BE - Teoretická fyzika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
ISSN
2050-7526
e-ISSN
—
Svazek periodika
2
Číslo periodika v rámci svazku
13
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
2050-7526
Kód UT WoS článku
000332482400011
EID výsledku v databázi Scopus
—