Electronic, optical and bonding properties of MgYZ2 (Y=Si, Ge; Z=N, P) chalcopyrites from first principles

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43923968" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43923968 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2014.03.053" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2014.03.053</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2014.03.053" target="_blank" >10.1016/j.mssp.2014.03.053</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic, optical and bonding properties of MgYZ2 (Y=Si, Ge; Z=N, P) chalcopyrites from first principles

Popis výsledku v původním jazyce

The electronic and optical properties of MgYZ2 (Y=Si, Ge; Z=N, P) compounds are carried out using first-principle calculations within the density functional theory. The calculations show close correspondence to the available experimental data compared tothe previous theoretical calculations. Band gap decreases by changing the cations Y from Si to Ge as well as Z from N to P in MgYZ2. The N/P p-states contribute majorly in the density of states. Bonding nature of the herein studied compounds is predicted from the electron density plots. Optical response of these compounds is noted from the complex refractive index, reflectivity and optical conductivity. The direct band gap and the high reflectivity of these compounds in the visible and ultraviolet regions of electromagnetic energy spectrum ensure their applications in optoelectronic and photonic domains.

Název v anglickém jazyce

Electronic, optical and bonding properties of MgYZ2 (Y=Si, Ge; Z=N, P) chalcopyrites from first principles

Popis výsledku anglicky

The electronic and optical properties of MgYZ2 (Y=Si, Ge; Z=N, P) compounds are carried out using first-principle calculations within the density functional theory. The calculations show close correspondence to the available experimental data compared tothe previous theoretical calculations. Band gap decreases by changing the cations Y from Si to Ge as well as Z from N to P in MgYZ2. The N/P p-states contribute majorly in the density of states. Bonding nature of the herein studied compounds is predicted from the electron density plots. Optical response of these compounds is noted from the complex refractive index, reflectivity and optical conductivity. The direct band gap and the high reflectivity of these compounds in the visible and ultraviolet regions of electromagnetic energy spectrum ensure their applications in optoelectronic and photonic domains.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BE - Teoretická fyzika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN

1369-8001

e-ISSN

—

Svazek periodika

26

Číslo periodika v rámci svazku

září 2014

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

79-86

Kód UT WoS článku

000344823400011

EID výsledku v databázi Scopus

—