The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43932730" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43932730 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s00339-013-8126-0" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s00339-013-8126-0</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s00339-013-8126-0" target="_blank" >10.1007/s00339-013-8126-0</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4

Popis výsledku v původním jazyce

The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4 compound with the monoclinic structure have been investigated using a full-relativistic version of the full-potential augmented plane-wave method based on the density functional theory, within local density approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA), Engel–Vosko GGA (EVGGA) and modified Becke Johnson (mBJ) potential.

Název v anglickém jazyce

The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4

Popis výsledku anglicky

The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4 compound with the monoclinic structure have been investigated using a full-relativistic version of the full-potential augmented plane-wave method based on the density functional theory, within local density approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA), Engel–Vosko GGA (EVGGA) and modified Becke Johnson (mBJ) potential.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics A-Materials Science &amp; Processing

ISSN

0947-8396

e-ISSN

—

Svazek periodika

116

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

333-340

Kód UT WoS článku

000338214300042

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84903265850