Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Exploring the optoelectronic properties of Nitrido-magneso-silicates: Ca[Mg3SiN4], Sr[Mg3SiN4], and Eu[Mg3SiN4]

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F17%3A43932518" target="_blank" >RIV/49777513:23640/17:43932518 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa62bd" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa62bd</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa62bd" target="_blank" >10.1088/1361-6641/aa62bd</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Exploring the optoelectronic properties of Nitrido-magneso-silicates: Ca[Mg3SiN4], Sr[Mg3SiN4], and Eu[Mg3SiN4]

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Optoelectronic properties of the Nitrido-magneso-silicates Ca[Mg3SiN4], Sr[Mg3SiN4], and Eu[Mg3SiN4] compounds have been investigated using the relativistic full-potential augmented plane-wave method (FLAPW) based on the density functional theory (DFT). The calculations of the electronic and optical properties were conducted by using the local density approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA), and modified Becke Johnson (mBJ) potential. A study of the band structures shows that these compounds are indirect band gap materials. We found a great variation in the obtained energy band gap value as we changed the functionals. The mBJ functional leads to a greater band-gap value compared to LDA and GGA cases. Based on the calculated electronic structure, the optical properties computed, such as the complex dielectric function, absorption coefficient, reflectivity, energy loss function and refractive index, were functions of the photon energy. Origins of the spectral peaks in the optical spectra were discussed and assigned to different electronic transitions observed from the electronic structure calculation.

  • Název v anglickém jazyce

    Exploring the optoelectronic properties of Nitrido-magneso-silicates: Ca[Mg3SiN4], Sr[Mg3SiN4], and Eu[Mg3SiN4]

  • Popis výsledku anglicky

    Optoelectronic properties of the Nitrido-magneso-silicates Ca[Mg3SiN4], Sr[Mg3SiN4], and Eu[Mg3SiN4] compounds have been investigated using the relativistic full-potential augmented plane-wave method (FLAPW) based on the density functional theory (DFT). The calculations of the electronic and optical properties were conducted by using the local density approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA), and modified Becke Johnson (mBJ) potential. A study of the band structures shows that these compounds are indirect band gap materials. We found a great variation in the obtained energy band gap value as we changed the functionals. The mBJ functional leads to a greater band-gap value compared to LDA and GGA cases. Based on the calculated electronic structure, the optical properties computed, such as the complex dielectric function, absorption coefficient, reflectivity, energy loss function and refractive index, were functions of the photon energy. Origins of the spectral peaks in the optical spectra were discussed and assigned to different electronic transitions observed from the electronic structure calculation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

  • ISSN

    0268-1242

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    32

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000413491400004

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85019010061