TECHNOLOGY OF PREPARATION OF MULTIDIMENSIONAL PHOTONIC STRUCTURE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F19%3A43956680" target="_blank" >RIV/49777513:23640/19:43956680 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-004.html" target="_blank" >http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-004.html</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
TECHNOLOGY OF PREPARATION OF MULTIDIMENSIONAL PHOTONIC STRUCTURE
Popis výsledku v původním jazyce
Silikonové kvantové tečky v matrici SiO2 jsou perspektivním materiálem disponujícím tří-dimenzionálním kvantovým efektem využívaným v solárních článcích třetí generace. Díky kvantovému efektu dochází k efektivnímu ladění šířky zakázaného pásu polovodiče pomocí řízeného růstu kvantových teček. Hlavním faktorem je zde jejich velikost, kdy dochází k nárůstu šířky zakázaného pásu s jejich zmenšováním. V souhrnu, hlavním technologickým parametrem je množství křemíku zabudovaného v křemíkem obohaceném SiO2. Vrstvy křemíkem obohaceného a stechiometrického SiO2 byly deponovány pomocí reaktivního magnetronového naprašování a následně žíhány ve vakuu. Pomocí rentgenové difrakce a elektronové mikroskopie byly pozorovány kvantové tečky o velikosti 3,5 – 5 nm.
Název v anglickém jazyce
TECHNOLOGY OF PREPARATION OF MULTIDIMENSIONAL PHOTONIC STRUCTURE
Popis výsledku anglicky
Silikonové kvantové tečky v matrici SiO2 jsou perspektivním materiálem disponujícím tří-dimenzionálním kvantovým efektem využívaným v solárních článcích třetí generace. Díky kvantovému efektu dochází k efektivnímu ladění šířky zakázaného pásu polovodiče pomocí řízeného růstu kvantových teček. Hlavním faktorem je zde jejich velikost, kdy dochází k nárůstu šířky zakázaného pásu s jejich zmenšováním. V souhrnu, hlavním technologickým parametrem je množství křemíku zabudovaného v křemíkem obohaceném SiO2. Vrstvy křemíkem obohaceného a stechiometrického SiO2 byly deponovány pomocí reaktivního magnetronového naprašování a následně žíhány ve vakuu. Pomocí rentgenové difrakce a elektronové mikroskopie byly pozorovány kvantové tečky o velikosti 3,5 – 5 nm.
Klasifikace
Druh
Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1402" target="_blank" >LO1402: CENTEM+</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
NTC-OTE-19-004
Číselná identifikace
NTC-OTE-19-004
Technické parametry
Postup výroby silikonových kvantových teček v matrici SiO2 využívaných v solárních článcích třetí generace. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634712, dlavicka@ntc.zcu.cz. Viz odkaz http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-004.html
Ekonomické parametry
Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádí.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
49777513
Název vlastníka
Západočeská univerzita v Plzni
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-004.html