Interpreting area of pinched memristor hysteresis loop
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F14%3A00499396" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/14:00499396 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/14:PU107395
Výsledek na webu
<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Interpreting area of pinched memristor hysteresis loop
Popis výsledku v původním jazyce
It is shown that the area of the pinched hysteresis loop of the current-controlled ideal memristor represents the quantity 'content?, which was introduced into the theory of nonlinear systems by Millar in 1951. Two parts of the content are identified which correspond to distinct parts of the area below the v?i characteristic of the memristor: one is related to the power conditions and the other to the instantaneous state of the memristor memory. It is demonstrated for a memristor driven by the sinusoidal current that the power part of the content depends on the fundamental harmonic of the voltage, whereas the memory part of the content is given only by the higher harmonics of the voltage, and only by the even harmonics in the case of entirely closed loops. The analogous conclusions also hold for the voltage-controlled memristor.
Název v anglickém jazyce
Interpreting area of pinched memristor hysteresis loop
Popis výsledku anglicky
It is shown that the area of the pinched hysteresis loop of the current-controlled ideal memristor represents the quantity 'content?, which was introduced into the theory of nonlinear systems by Millar in 1951. Two parts of the content are identified which correspond to distinct parts of the area below the v?i characteristic of the memristor: one is related to the power conditions and the other to the instantaneous state of the memristor memory. It is demonstrated for a memristor driven by the sinusoidal current that the power part of the content depends on the fundamental harmonic of the voltage, whereas the memory part of the content is given only by the higher harmonics of the voltage, and only by the even harmonics in the case of entirely closed loops. The analogous conclusions also hold for the voltage-controlled memristor.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA14-19865S" target="_blank" >GA14-19865S: Zobecněné prvky vyšších řádů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Electronics Letters
ISSN
0013-5194
e-ISSN
—
Svazek periodika
50
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
74-75
Kód UT WoS článku
000331141100013
EID výsledku v databázi Scopus
—