Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F02%3A00007233" target="_blank" >RIV/60461373:22310/02:00007233 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals

Popis výsledku v původním jazyce

Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals

Název v anglickém jazyce

Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals

Popis výsledku anglicky

Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0895" target="_blank" >GA102/00/0895: Nové technologie přípravy pasivních a aktivních planárních struktur na bázi uhlíku a nitridů uhlíku pro integrovanou optiku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Conference Proceedings The Fourth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

0-7803-7276-X

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

55-58

Název nakladatele

Institute of Electrical and Electronics Engineers, Ins

Místo vydání

Hoes Lane NJ08855-1331

Místo konání akce

Smolenice, Slovenská republika

Datum konání akce

14. 10. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—