Optimization of Ge and Pd layers thickness in Ge/Pd/GaAs contact structures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F03%3A00008154" target="_blank" >RIV/60461373:22310/03:00008154 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optimization of Ge and Pd layers thickness in Ge/Pd/GaAs contact structures
Popis výsledku v původním jazyce
Optimization of Ge and Pd layers thickness in Ge/Pd/GaAs contact structures
Název v anglickém jazyce
Optimization of Ge and Pd layers thickness in Ge/Pd/GaAs contact structures
Popis výsledku anglicky
Optimization of Ge and Pd layers thickness in Ge/Pd/GaAs contact structures
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0895" target="_blank" >GA102/00/0895: Nové technologie přípravy pasivních a aktivních planárních struktur na bázi uhlíku a nitridů uhlíku pro integrovanou optiku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Sborník - 10th Electronic Devices and Systems Conference
ISBN
80-214-2452-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
311-314
Název nakladatele
VUT Brno
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
9. 10. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—