Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F03%3A00008281" target="_blank" >RIV/60461373:22310/03:00008281 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice
Popis výsledku v původním jazyce
Na pracovišti VŠCHT Praha bylo vybudováno pracoviště pro přípravu epitaxních vrstev nitridů 13. skupiny technologií MOVPE. Zařízení umožňuje přípravu binárních nitridů a jejich ternárních a kvaternárních substitučních roztoků. Zdrojem prvků 13. skupiny jsou organokovové sloučeniny (trimethylgallium, trimethylaluminium), zdrojem dusíku je vysoce čistý amoniak. Safírové podložky jsou uistěny na molybdenovém substrátě, který je vyhříván indukčním ohřevem. Práce jsou směrovány především na přípavu epitaxních vrstev GaN a jejich charakterizaci.
Název v anglickém jazyce
Preparation and property of GaN thin layers as materials for electronics
Popis výsledku anglicky
AIIIN nitrides and their solid solution are promising materials for advanced optoelectronic and microelectronic devices such as light emitting diodes, lasers, detectors and high-temperature and high-power microwave devices. A conventional horizontal typeMOVPE reactor was constructed and is described. Some structural and optical properties of GaN thin layers are presented.

Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)