Výzkum šířky zakázaného pásu GaN vrstev dotovaných Dy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020118" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020118 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of band gap of Dy doped Gallium Nitride layers using the transmittance measurement

Popis výsledku v původním jazyce

Investigation of band gap of Dy doped Gallium Nitride layers using the transmittance measurement

Název v anglickém jazyce

Investigation of band gap of Dy doped Gallium Nitride layers using the transmittance measurement

Popis výsledku anglicky

Investigation of band gap of Dy doped Gallium Nitride layers using the transmittance measurement

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2008

ISBN

978-80-214-3717-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

VUT Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

10. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—