Výzkum vlastností vrstev GaN dotovaných ionty Er3+ a Er3++Yb3+

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020128" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020128 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Investigation properties of GaN layers doped with ions using the transmittance measurement
Popis výsledku v původním jazyce
Investigation properties of GaN layers doped with ions using the transmittance measurement
Název v anglickém jazyce
Investigation properties of GaN layers doped with ions using the transmittance measurement
Popis výsledku anglicky
Investigation properties of GaN layers doped with ions using the transmittance measurement

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Photonics Prague 2008, The 6th International Conference on Photonics, Devices and Systems
ISBN
978-80-86742-25-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
Agentura Action M
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
27. 8. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Popis výsledku