Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3+-Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020537" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020537 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3+-Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement.
Popis výsledku v původním jazyce
Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3+-Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement.
Název v anglickém jazyce
Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3+-Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement.
Popis výsledku anglicky
Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3+-Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Photonics, Devices, and Systems
ISBN
—
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
Bellingham
Místo vydání
Bellingham
Místo konání akce
Bellingham, UK
Datum konání akce
12. 8. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—