Properties of Er3+ and Er3++Yb3+ doped GaN layers investigated using the transmittance measurement
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020540" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020540 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Properties of Er3+ and Er3++Yb3+ doped GaN layers investigated using the transmittance measurement
Popis výsledku v původním jazyce
Properties of Er3+ and Er3++Yb3+ doped GaN layers investigated using the transmittance measurement
Název v anglickém jazyce
Properties of Er3+ and Er3++Yb3+ doped GaN layers investigated using the transmittance measurement
Popis výsledku anglicky
Properties of Er3+ and Er3++Yb3+ doped GaN layers investigated using the transmittance measurement
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Photonics Prague 2008, The 6th International Conference on Photonics, Devices and Systems
ISBN
978-80-86742-25-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
—
Název nakladatele
CTU Prague
Místo vydání
Prague, Czech Republic
Místo konání akce
Prague, Czech Republic
Datum konání akce
27. 10. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—