Synthesis of graphene on Ni/SiC structure

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F15%3A43900941" target="_blank" >RIV/60461373:22310/15:43900941 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Synthesis of graphene on Ni/SiC structure

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene is a promising material with excellent electrical, thermal, optical and mechanical properties. Therefore, it is a material of high relevance for various applications in many branches of technique. Graphene has received much attention recently in scientific community. The contribution reports formation and characterization of few-layer graphene (FLG) films on a SiC substrate from nickel silicide supersaturated with carbon by annealing at a favourable low temperature.

Název v anglickém jazyce

Synthesis of graphene on Ni/SiC structure

Popis výsledku anglicky

Graphene is a promising material with excellent electrical, thermal, optical and mechanical properties. Therefore, it is a material of high relevance for various applications in many branches of technique. Graphene has received much attention recently in scientific community. The contribution reports formation and characterization of few-layer graphene (FLG) films on a SiC substrate from nickel silicide supersaturated with carbon by annealing at a favourable low temperature.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů