Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Graphene prepaered by chemical vapour deposition process

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F20%3A43920875" target="_blank" >RIV/60461373:22310/20:43920875 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60461373:22810/20:43920875

  • Výsledek na webu

    <a href="https://link.springer.com/article/10.1007/s41127-019-00029-6" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1007/s41127-019-00029-6</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Graphene prepaered by chemical vapour deposition process

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The submitted work is focused at graphene preparation using the Chemical Vapour Deposition method employing a cold wall reactor. We succeeded to prepare and to transfer monolayer grapheme onto a dielectric substrate and to study its properties by various analytical methods in great detail. We consider obtaining of well resolved band structure of prepared grapheme layers as a fundamental contribution. The band structure evidences that undoped material was prepared, with Dirac points lying at the Fermi level.

  • Název v anglickém jazyce

    Graphene prepaered by chemical vapour deposition process

  • Popis výsledku anglicky

    The submitted work is focused at graphene preparation using the Chemical Vapour Deposition method employing a cold wall reactor. We succeeded to prepare and to transfer monolayer grapheme onto a dielectric substrate and to study its properties by various analytical methods in great detail. We consider obtaining of well resolved band structure of prepared grapheme layers as a fundamental contribution. The band structure evidences that undoped material was prepared, with Dirac points lying at the Fermi level.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>ost</sub> - Ostatní články v recenzovaných periodicích

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA17-00607S" target="_blank" >GA17-00607S: Komplexní umělé elektromagnetické struktury a nanostruktury</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Graphene Technology

  • ISSN

    2365-6301

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1-2

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    9-17

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus