Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High energy Au plus ion implantation of polar and nonpolar ZnO-Structure modification and optical properties

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F20%3A43921653" target="_blank" >RIV/60461373:22310/20:43921653 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61389005:_____/20:00524445

  • Výsledek na webu

    <a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/sia.6789" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/sia.6789</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.6789" target="_blank" >10.1002/sia.6789</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High energy Au plus ion implantation of polar and nonpolar ZnO-Structure modification and optical properties

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper presents a study of 5-MeV energy Au+ ion implantation in polar c-plane (0001), nonpolar a-plane (11-20) and m-plane (10-10) ZnO crystallographic cuts using fluences of 5 x 10(14) and 1 x 10(15) cm(-2). The implanted samples were subsequently annealed in O-2 atmosphere at 600 degrees C. It was shown that a-plane ZnO exhibited a lowest level of Zn sublattice disorder evidenced by Rutherford backscattering spectroscopy in channelling mode (RBS-C); in contrast, m-plane ZnO showed the highest disorder. The disorder in the Zn sublattice grew progressively in the subsurface as well as in the implanted layer in c-plane and m-plane ZnO, while a-plane has shown slight increase of disorder just in the implanted layer. Angular scans provided using RBS-C have shown the preservation of channelling effect in the subsurface layer in a-plane ZnO. On the contrary, the narrowed and shallow angular scan dips were seen in m-plane ZnO. Raman spectroscopy has shown significant O-sublattice disorder and O rearrangement mainly in a-plane and m-plane ZnO compared to c-plane. After ion implantation, the exciton-related luminescence band at 375 nm vanished almost completely, and the defect-related band &apos;shifted&apos; to shorter wavelengths. Annealing has beneficial influence on near-band-edge (NBE) luminescence recovery, whereas deep-level-emission (DLE) luminesce has been shifted to lower wavelengths than appeared after implantation.

  • Název v anglickém jazyce

    High energy Au plus ion implantation of polar and nonpolar ZnO-Structure modification and optical properties

  • Popis výsledku anglicky

    The paper presents a study of 5-MeV energy Au+ ion implantation in polar c-plane (0001), nonpolar a-plane (11-20) and m-plane (10-10) ZnO crystallographic cuts using fluences of 5 x 10(14) and 1 x 10(15) cm(-2). The implanted samples were subsequently annealed in O-2 atmosphere at 600 degrees C. It was shown that a-plane ZnO exhibited a lowest level of Zn sublattice disorder evidenced by Rutherford backscattering spectroscopy in channelling mode (RBS-C); in contrast, m-plane ZnO showed the highest disorder. The disorder in the Zn sublattice grew progressively in the subsurface as well as in the implanted layer in c-plane and m-plane ZnO, while a-plane has shown slight increase of disorder just in the implanted layer. Angular scans provided using RBS-C have shown the preservation of channelling effect in the subsurface layer in a-plane ZnO. On the contrary, the narrowed and shallow angular scan dips were seen in m-plane ZnO. Raman spectroscopy has shown significant O-sublattice disorder and O rearrangement mainly in a-plane and m-plane ZnO compared to c-plane. After ion implantation, the exciton-related luminescence band at 375 nm vanished almost completely, and the defect-related band &apos;shifted&apos; to shorter wavelengths. Annealing has beneficial influence on near-band-edge (NBE) luminescence recovery, whereas deep-level-emission (DLE) luminesce has been shifted to lower wavelengths than appeared after implantation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10402 - Inorganic and nuclear chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface Interface Analysis

  • ISSN

    0142-2421

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    52

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1083-1088

  • Kód UT WoS článku

    000529053100001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85084730003