Chemiresistor-type NO2 gas sensor based on organic semiconductor thin film
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22340%2F03%3A00007589" target="_blank" >RIV/60461373:22340/03:00007589 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Chemiresistor-type NO2 gas sensor based on organic semiconductor thin film
Popis výsledku v původním jazyce
A sensor of nitrogen oxide with lead phthalocyanine thin film was prepared by electrophoretic deposition. The sensor is suitable for detecting NO2 at concentrations from 1 ppb to 400 ppb in air. The working temperature of the sensor is 150oC.
Název v anglickém jazyce
Chemiresistor-type NO2 gas sensor based on organic semiconductor thin film
Popis výsledku anglicky
A sensor of nitrogen oxide with lead phthalocyanine thin film was prepared by electrophoretic deposition. The sensor is suitable for detecting NO2 at concentrations from 1 ppb to 400 ppb in air. The working temperature of the sensor is 150oC.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Chemiresistor-type NO2 gas sensor based on organic semiconductor thin film
ISBN
80-227-1902-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Název nakladatele
Slovak University of Technology
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Štrbské Pleso, High Tatras, Slovak Republic
Datum konání akce
8. 7. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—