Optical Characterization of the VCSEL Diodes Based on GaSb

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F11%3A00439868" target="_blank" >RIV/61388955:_____/11:00439868 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ICTON.2010.5548988" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ICTON.2010.5548988</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ICTON.2010.5548988" target="_blank" >10.1109/ICTON.2010.5548988</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optical Characterization of the VCSEL Diodes Based on GaSb
Popis výsledku v původním jazyce
Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs) have been characterized using Fourier transform emission spectroscopy and compared. Laser sensitive detection - laser absorption together with high resolution Fourier transform infrared technique includinglaser width measurement, infrared photoacoustic detection of neutral molecules will be discussed.
Název v anglickém jazyce
Optical Characterization of the VCSEL Diodes Based on GaSb
Popis výsledku anglicky
Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs) have been characterized using Fourier transform emission spectroscopy and compared. Laser sensitive detection - laser absorption together with high resolution Fourier transform infrared technique includinglaser width measurement, infrared photoacoustic detection of neutral molecules will be discussed.

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
International Conference on Transparent Optical Networks-ICTON
ISBN
978-1-4244-7798-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Munich
Datum konání akce
27. 6. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000307108000055

Podobné výsledky(10)