Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Raman spectroscopy of strongly doped CVD-graphene

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F13%3A00421294" target="_blank" >RIV/61388955:_____/13:00421294 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201300070" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201300070</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201300070" target="_blank" >10.1002/pssb.201300070</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Raman spectroscopy of strongly doped CVD-graphene

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Chemical vapor-deposition-grown graphene covered with a polyelectrolyte layer has been studied using Raman spectroscopy and in situ Raman spectroelectrochemistry. The doping of graphene leads to a shift of the Fermi level, which is reflected in changes of Raman spectra. A change of the Raman shift of the G band as a function of the electrode potential has been analyzed in this study to evaluate the doping level of graphene. The frequency shift of the G mode suggested an extreme doping of graphene (up 1014 charge carriers per cm2), without obvious damage of graphene.

  • Název v anglickém jazyce

    Raman spectroscopy of strongly doped CVD-graphene

  • Popis výsledku anglicky

    Chemical vapor-deposition-grown graphene covered with a polyelectrolyte layer has been studied using Raman spectroscopy and in situ Raman spectroelectrochemistry. The doping of graphene leads to a shift of the Fermi level, which is reflected in changes of Raman spectra. A change of the Raman shift of the G band as a function of the electrode potential has been analyzed in this study to evaluate the doping level of graphene. The frequency shift of the G mode suggested an extreme doping of graphene (up 1014 charge carriers per cm2), without obvious damage of graphene.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

  • ISSN

    0370-1972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    250

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    2659-2661

  • Kód UT WoS článku

    000328325900029

  • EID výsledku v databázi Scopus