Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F24%3A00585020" target="_blank" >RIV/61388955:_____/24:00585020 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/24:10481768
Výsledek na webu
<a href="https://hdl.handle.net/11104/0352789" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0352789</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.3c01824" target="_blank" >10.1021/acsaelm.3c01824</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum
Popis výsledku v původním jazyce
In the realm of materials science and nanotechnology, the pursuit of the scalable preparation of high-quality monolayers of two-dimensional (2D) materials is a significant challenge. Despite the widespread interest sparked by the unique quantum mechanical effects in these materials, achieving scalable and controlled syntheses remains hindered by a lack of suitable techniques. This work presents a facile exfoliation approach that successfully yields bulk-crystal-sized 2D monolayers, approaching 100% under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The process was demonstrated by exfoliating MoS2 on Au and Ag substrates. Raman spectroscopy reveals a strong dispersive interaction at the metal/MoS2 interface, inducing a high strain field on the topmost layer of the bulk crystal. This strain field's inhomogeneous distribution reduces interlayer van der Waals interactions, enhancing the selectivity of monolayer exfoliation. Beyond scalable exfoliation, our method opens avenues for obtaining monolayers of materials unstable under ambient conditions, emphasizing its broader applicability in advancing the synthesis of 2D materials for diverse applications.
Název v anglickém jazyce
Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum
Popis výsledku anglicky
In the realm of materials science and nanotechnology, the pursuit of the scalable preparation of high-quality monolayers of two-dimensional (2D) materials is a significant challenge. Despite the widespread interest sparked by the unique quantum mechanical effects in these materials, achieving scalable and controlled syntheses remains hindered by a lack of suitable techniques. This work presents a facile exfoliation approach that successfully yields bulk-crystal-sized 2D monolayers, approaching 100% under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The process was demonstrated by exfoliating MoS2 on Au and Ag substrates. Raman spectroscopy reveals a strong dispersive interaction at the metal/MoS2 interface, inducing a high strain field on the topmost layer of the bulk crystal. This strain field's inhomogeneous distribution reduces interlayer van der Waals interactions, enhancing the selectivity of monolayer exfoliation. Beyond scalable exfoliation, our method opens avenues for obtaining monolayers of materials unstable under ambient conditions, emphasizing its broader applicability in advancing the synthesis of 2D materials for diverse applications.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10403 - Physical chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GX20-08633X" target="_blank" >GX20-08633X: ÅrchitektRonika dvoudimenzionálních krystalů se synergií chirálních elektrochemických a optoelektronických konceptů na Å- škále</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
ACS Applied Electronic Materials
ISSN
2637-6113
e-ISSN
2637-6113
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
2301-2308
Kód UT WoS článku
001192441900001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85189083161