Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F24%3A00585020" target="_blank" >RIV/61388955:_____/24:00585020 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216208:11320/24:10481768

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0352789" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0352789</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.3c01824" target="_blank" >10.1021/acsaelm.3c01824</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the realm of materials science and nanotechnology, the pursuit of the scalable preparation of high-quality monolayers of two-dimensional (2D) materials is a significant challenge. Despite the widespread interest sparked by the unique quantum mechanical effects in these materials, achieving scalable and controlled syntheses remains hindered by a lack of suitable techniques. This work presents a facile exfoliation approach that successfully yields bulk-crystal-sized 2D monolayers, approaching 100% under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The process was demonstrated by exfoliating MoS2 on Au and Ag substrates. Raman spectroscopy reveals a strong dispersive interaction at the metal/MoS2 interface, inducing a high strain field on the topmost layer of the bulk crystal. This strain field's inhomogeneous distribution reduces interlayer van der Waals interactions, enhancing the selectivity of monolayer exfoliation. Beyond scalable exfoliation, our method opens avenues for obtaining monolayers of materials unstable under ambient conditions, emphasizing its broader applicability in advancing the synthesis of 2D materials for diverse applications.

  • Název v anglickém jazyce

    Highly Efficient Bulk-Crystal-Sized Exfoliation of 2D Materials under Ultrahigh Vacuum

  • Popis výsledku anglicky

    In the realm of materials science and nanotechnology, the pursuit of the scalable preparation of high-quality monolayers of two-dimensional (2D) materials is a significant challenge. Despite the widespread interest sparked by the unique quantum mechanical effects in these materials, achieving scalable and controlled syntheses remains hindered by a lack of suitable techniques. This work presents a facile exfoliation approach that successfully yields bulk-crystal-sized 2D monolayers, approaching 100% under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The process was demonstrated by exfoliating MoS2 on Au and Ag substrates. Raman spectroscopy reveals a strong dispersive interaction at the metal/MoS2 interface, inducing a high strain field on the topmost layer of the bulk crystal. This strain field's inhomogeneous distribution reduces interlayer van der Waals interactions, enhancing the selectivity of monolayer exfoliation. Beyond scalable exfoliation, our method opens avenues for obtaining monolayers of materials unstable under ambient conditions, emphasizing its broader applicability in advancing the synthesis of 2D materials for diverse applications.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10403 - Physical chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GX20-08633X" target="_blank" >GX20-08633X: ÅrchitektRonika dvoudimenzionálních krystalů se synergií chirálních elektrochemických a optoelektronických konceptů na Å- škále</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Applied Electronic Materials

  • ISSN

    2637-6113

  • e-ISSN

    2637-6113

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    2301-2308

  • Kód UT WoS článku

    001192441900001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85189083161