ETO: hybridní polovodičová součástka na bázi vypínacího tyristoru GTO

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388998%3A_____%2F06%3A00045082" target="_blank" >RIV/61388998:_____/06:00045082 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
ETO: hybridní polovodičová součástka na bázi vypínacího tyristoru GTO
Popis výsledku v původním jazyce
Součástka ETO je dalším velmi významným krokem ve vývoji výkonové polovodičové součástky na bázi tyristorové struktury. V současnosti dosažené parametry (např. mezní amplituda opakovatelného blokovacího napětí U(DRM) = 4500 V, maximální opakovatelně vypínatelný proud I(TGQM) = 4000 A, spínací frekvence f(s) je vyšší než 1kHz) činí ETO nejnadějnější součástkou pro stavbu inteligentních měničů na velké výkony. Budoucí typy těchto součástek, které jsou nyní ve vývoji, budou mít další výhodné vlastnosti, např. vestavěné sledování teploty, schopnost omezovat narůstající poruchový proud, atd.
Název v anglickém jazyce
ETO: hybrid semiconductor device based on the Gate Turn-Off Thyristor (GTO)
Popis výsledku anglicky
The ETO is another major stride in the development of a thyristor based superior high power semiconductor device. Its present parameters (e.g. repetitive peak blocking voltage V(DRM)=4500 V, max. controllable turn of current I(TGQM)=4000 A, switching frequency f(s) higher than 1kHz) make it the must promising device for the high power smart converters. Future ETOs - now under development - will include additional features, such as built in temperature sensing, high current saturation compatibility, etc.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)